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NTMSD3P102R2
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Chip
Junction 2.32 W
Normalized to R q JA at Steady State (1 ″ pad)
18.5 W 50.9 W 37.1 W 56.8 W
24.4 W
0.01
0.0014 F
0.0073 F
0.022 F
0.105 F
0.484 F
3.68 F
Single Pulse
Ambient
0.01
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
T J = 125 ° C
1.0
T J = 125 ° C
85 ° C
25 ° C
1.0
85 ° C
25 ° C
- 40 °
C
0.1
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS
FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Maximum Forward Voltage
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